Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и
технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа
AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупро-
водника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния.
Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов,
применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы
изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в
канале (HEMT). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный
обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ
транзисторов и методы контроля надежности транзисторов.
Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100
«Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки
и применения изделий твердотельной электроники.

sitemap

Разработка: студия Green Art