eng
Просмотры: 1034
02.11.2016
Новые разработки открывают большие возможности в развитии мобильной и космической связи, а также уже в ближайшее десятилетие приведут к значительному уменьшению размеров блоков питания, адаптеров, зарядных устройств.
Как заявил гендиректор «Росэлектроники» Игорь Козлов, новые разработки в сфере полупроводников обеспечивают эффективность техники будущего вне зависимости от сферы ее применения.
«Это основа грядущей цифровой эры. Поэтому «Росэлектроника» прилагает все возможные усилия для обеспечения перспективных разработок и превращения их в готовое изделие с высококонкурентными параметрами», – отметил он.
В частности, московский завод «Пульсар», входящий в холдинг, приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 году. Такой транзистор поднимет на новый уровень производство блоков питания различных типов, а также сыграет значимую роль в развитии мобильной и космической связи.
Структуры GaN уже являются основной частью оптоэлектронных приборов, таких как светодиоды и лазеры. Все более широкое применение они находят и в области радио- и силовой электроники: СВЧ-транзисторах, усилителях сигнала, силовых переключательных транзисторах, преобразователях тока и прочих приборах.
Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, уже в ближайшее десятилетие приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов.
В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот. На сегодня разработчики завода «Пульсар» совместно с Институтом сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН провели работы по созданию приемопередающих модулей в диапазонах 23–25 ГГц и 57–64 ГГц. Это позволит уже в ближайшее время выпускать монолитные интегральные схемы на основе широкозонных полупроводников.
Приборы на основе GaN обладают высокой радиационной стойкостью, что обуславливает их широкое проникновение в отрасль космической связи.
В то же время другое предприятие холдинга – нижегородский «Салют» – приступило к изысканиям в сфере создания так называемых спиновых полевых транзисторов (от англ. spin – «вращение»). Этот тип полупроводниковых приборов отличает высокая скорость переключений между состояниями транзистора и низкое энергопотребление.
Как отмечают специалисты «Росэлектроники», в настоящее время еще нигде в мире не налажено серийное производство спиновых транзисторов.
Основная идея этих приборов заключается в том, что электроны, инжектируемые в канал транзистора, проходят через ферромагнитный «исток», где приобретают определенную поляризацию. Под действием приложенного электромагнитного поля в канале спины электронов испытывают прецессию и подходят к уже ферромагнитному «стоку». Направление поляризации спина электронов определяется приложенным напряжением на затворе. Таким образом, существуют два варианта: когда спин-поляризованный ток проходит через «сток» либо же когда спинового тока нет.
Идея очень привлекательна, так как обещает создание прибора с очень высокой скоростью переключения между состояниями транзистора и низким энергопотреблением. При этом технологически процесс изготовления спиновых транзисторов, как ожидается, подобен технологиям создания традиционных полевых транзисторов, что существенно удешевляет планируемое производство.
«Это основа грядущей цифровой эры. Поэтому «Росэлектроника» прилагает все возможные усилия для обеспечения перспективных разработок и превращения их в готовое изделие с высококонкурентными параметрами», – отметил он.
В частности, московский завод «Пульсар», входящий в холдинг, приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 году. Такой транзистор поднимет на новый уровень производство блоков питания различных типов, а также сыграет значимую роль в развитии мобильной и космической связи.
Структуры GaN уже являются основной частью оптоэлектронных приборов, таких как светодиоды и лазеры. Все более широкое применение они находят и в области радио- и силовой электроники: СВЧ-транзисторах, усилителях сигнала, силовых переключательных транзисторах, преобразователях тока и прочих приборах.
Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, уже в ближайшее десятилетие приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволит принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов.
В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот. На сегодня разработчики завода «Пульсар» совместно с Институтом сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН провели работы по созданию приемопередающих модулей в диапазонах 23–25 ГГц и 57–64 ГГц. Это позволит уже в ближайшее время выпускать монолитные интегральные схемы на основе широкозонных полупроводников.
Приборы на основе GaN обладают высокой радиационной стойкостью, что обуславливает их широкое проникновение в отрасль космической связи.
В то же время другое предприятие холдинга – нижегородский «Салют» – приступило к изысканиям в сфере создания так называемых спиновых полевых транзисторов (от англ. spin – «вращение»). Этот тип полупроводниковых приборов отличает высокая скорость переключений между состояниями транзистора и низкое энергопотребление.
Как отмечают специалисты «Росэлектроники», в настоящее время еще нигде в мире не налажено серийное производство спиновых транзисторов.
Основная идея этих приборов заключается в том, что электроны, инжектируемые в канал транзистора, проходят через ферромагнитный «исток», где приобретают определенную поляризацию. Под действием приложенного электромагнитного поля в канале спины электронов испытывают прецессию и подходят к уже ферромагнитному «стоку». Направление поляризации спина электронов определяется приложенным напряжением на затворе. Таким образом, существуют два варианта: когда спин-поляризованный ток проходит через «сток» либо же когда спинового тока нет.
Идея очень привлекательна, так как обещает создание прибора с очень высокой скоростью переключения между состояниями транзистора и низким энергопотреблением. При этом технологически процесс изготовления спиновых транзисторов, как ожидается, подобен технологиям создания традиционных полевых транзисторов, что существенно удешевляет планируемое производство.
Комментарии читателей
