eng
Просмотры: 1009
17.10.2016
Samsung приступила к производству 10 нм чипов по технологии FinFET. Это первые в мире чипы с затвором в 10 нанометров. Вероятно, они будут использованы в смартфоне Galaxy S8, релиз которого должен состояться в начале 2017 г.
Согласно сообщению компании, это первые в мире микросхемы, созданные в топологии 10 нм.
Компания сообщила, что чипы будут использованы при создании нового устройства, релиз которого состоится в начале 2017 г. Samsung не уточнила, что это будет за устройство, однако, скорее всего речь идет о смартфоне Galaxy S8.
Ранее корейское издание Electronic Times сообщало, что Samsung станет единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Чипы будут использованы в половине смартфонов Galaxy S8.
Технические особенности
Samsung обещает, что 10 нм чипы будут на 27% более производительными, чем 14 нм. При этом потребление энергии снизится на 40%. Также на одной полупроводниковой плате можно будет разместить на 30% больше чипов.
Компания сообщила, что в производстве 10 нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.
В производство было запущено первое поколение 10 нм чипов, получившее название 10LPE. Во второй половине 2017 г. Samsung планирует начать выпуск второго поколения с повышенной производительностью под названием 10LPP.
Samsung внедряет FinFET
Компания выпустила свой первый процессор, выполненный по технологии FinFET, в январе 2015 г. Технология основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»). Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы.
Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором в 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
В ноябре 2015 г. компания представила новый флагманский 8-ядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с 14 нм транзисторами FinFET. Это был первый чип с кастомизированными ядрами, разработанными компанией самостоятельно.
В августе 2016 г. Samsung приступила к массовому производству 14 нм процессора Exynos 7 Quad 7570 , а на днях запустила производство 14-нм процессора для носимых устройств по технологии FinFET Exynos 7 Dual 7270.
Прочесть о FinFET Вы также можете в книге издательства "ТЕХНОСФЕРА" "Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне". Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но
и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий
и соответствующих правил проектирования.
Компания сообщила, что чипы будут использованы при создании нового устройства, релиз которого состоится в начале 2017 г. Samsung не уточнила, что это будет за устройство, однако, скорее всего речь идет о смартфоне Galaxy S8.
Ранее корейское издание Electronic Times сообщало, что Samsung станет единственным подрядчиком по производству высокопроизводительных чипов Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Чипы будут использованы в половине смартфонов Galaxy S8.
Технические особенности
Samsung обещает, что 10 нм чипы будут на 27% более производительными, чем 14 нм. При этом потребление энергии снизится на 40%. Также на одной полупроводниковой плате можно будет разместить на 30% больше чипов.
Компания сообщила, что в производстве 10 нм чипов применяется метод тройного структурирования, то есть контур схемы трижды рисуется на плате перед нарезкой. Это помогает преодолеть масштабное ограничение при создании небольших по размеру схем.
В производство было запущено первое поколение 10 нм чипов, получившее название 10LPE. Во второй половине 2017 г. Samsung планирует начать выпуск второго поколения с повышенной производительностью под названием 10LPP.
Samsung внедряет FinFET
Компания выпустила свой первый процессор, выполненный по технологии FinFET, в январе 2015 г. Технология основана на использовании в микросхемах трехмерного затвора, имеющего форму плавника (англ. «fin»). Это позволяет повысить ширину затвора при сохранении площади ячейки. На основе FinFET производятся так называемые объемные транзисторы.
Samsung с начала 2015 г. выпускает чипы на базе технологии FinFET с затвором в 14 нм. Это позволило бренду начать применять решения премиального уровня в бюджетных устройствах.
В ноябре 2015 г. компания представила новый флагманский 8-ядерный процессор Exynos 8 Octa 8890 с 14 нм транзисторами FinFET. Это был первый чип с кастомизированными ядрами, разработанными компанией самостоятельно.
В августе 2016 г. Samsung приступила к массовому производству 14 нм процессора Exynos 7 Quad 7570 , а на днях запустила производство 14-нм процессора для носимых устройств по технологии FinFET Exynos 7 Dual 7270.
Прочесть о FinFET Вы также можете в книге издательства "ТЕХНОСФЕРА" "Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне". Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но
и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий
и соответствующих правил проектирования.
Комментарии читателей
