eng
Просмотры: 971
29.01.2016
Ученые предприятия Холдинга «Швабе» изобрели и запатентовали новаторский метод выращивания гетероструктур для оптоэлектронных устройств.
Метод разработан на базе научной организации Холдинга «Швабе» – АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» и будет применяться при изготовлении фоточувствительного элемента оптоэлектронных устройств – электронно-оптических преобразователей и фотоумножителей.
В частности, ученые НИИ изобрели технологию выращивания гетероструктур для полупроводникового полупрозрачного фотокатода, который чувствителен в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне.
«Уникальность технологии в предложенной совокупности признаков ее изобретения, которая не имеет аналогов. Условия получения гетероструктур позволяют улучшить характеристики приборов на их основе, повысить их чувствительность и квантовую эффективность», – рассказал временный генеральный директор АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Евгений Кузнецов.
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха – это крупнейший научно-производственный центр России и важное звено в составе Холдинга «Швабе». Более 50 лет на базе института создаются редкие технологии, материалы и сложные высокотехнологичные устройства. В том числе специально выращиваются лазерные кристаллы и многослойные структуры для полупроводников и фотоприемников.
В частности, ученые НИИ изобрели технологию выращивания гетероструктур для полупроводникового полупрозрачного фотокатода, который чувствителен в видимом и ближнем инфракрасном диапазоне.
«Уникальность технологии в предложенной совокупности признаков ее изобретения, которая не имеет аналогов. Условия получения гетероструктур позволяют улучшить характеристики приборов на их основе, повысить их чувствительность и квантовую эффективность», – рассказал временный генеральный директор АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Евгений Кузнецов.
Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха – это крупнейший научно-производственный центр России и важное звено в составе Холдинга «Швабе». Более 50 лет на базе института создаются редкие технологии, материалы и сложные высокотехнологичные устройства. В том числе специально выращиваются лазерные кристаллы и многослойные структуры для полупроводников и фотоприемников.
Комментарии читателей
