eng
Содержание
Содержание
Введение от авторов русского перевода 11
ЧАСТЬ I. ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Воздействие радиации и отказоустойчивые методы для ПЛИС и графических
процессоров 13
1.1.
Введение 13
1.2.
Радиационные эффекты 14
1.3.
Устранимые ошибки в ПЛИС 16
1.3.1.
Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
со статическим ОЗУ 17
1.3.2.
Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
на основе флэш-памяти 18
1.3.3.
Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
с токопроводящими перемычками 20
1.4.
Устранимые ошибки в графических процессорах 21
1.5.
Отказоустойчивые методы 21
1.5.1.
Отказоустойчивые методы для ПЛИС 22
1.5.2.
Отказоустойчивые методы для графических процессоров 23
1.6.
Определение радиационной чувствительности ПЛИС
и графических процессоров 24
1.6.1.
Внесение ошибок 24
1.6.2.
Методы радиационных испытаний по прогнозу и измерениям
одиночных сбоев в ПЛИС и графических процессорах 25
Литература 27
ЧАСТЬ II. ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Глава 2. Бразильский наноспутник с приемником глобальной системы спутниковой
навигации и функцией сопровождения на реконфигурируемой системе на кристалле 29
2.1.
Введение 30
2.2.
CONASAT 30
2.2.1.
Проект CONASAT 30
2.2.2.
Архитектура спутников созвездия CONASAT 31
2.3.
Архитектура программного обеспечения приемников глобальной системы
спутниковой навигации (GPS) 32
2.4.
Проектирование аппаратных средств 34
2.4.1.
Входной каскад 34
2.4.2.
Модуль обработки сигналов основной полосы частот 34
2.4.3.
Модуль обработки приложений 36
2.4.4.
Устранение SEU в имеющихся в продаже ПЛИС и системах
на кристалле 36
2.4.5.
Предлагаемая архитектура 37
2.4.6.
Сокращение времени холодного старта 37
2.5.
Рыночные решения 38
2.6.
Выводы 39
Литература 39
Глава 3. Обзор и исследование методов обнаружения и устранения одиночных сбоев
для гетерогенных систем на основе ПЛИС 41
3.1.
Введение 42
3.2.
Смягчение последствий устранимых ошибок в ASIP-процессорах 43
3.2.2.
Методы устранения сбоев, основанные на программном обеспечении 46
3.2.3.
Обсуждение 47
3.3.
Быстрое восстановление после сбоев в конфигурационной памяти ПЛИС 48
3.4.
Комплекс аппаратуры RUSH проекта QB50 и эксперимент 51
3.5.
Выводы 53
Литература 54
ЧАСТЬ III. ПЛИС НА ОСНОВЕ СТАТИЧЕСКОГО ОЗУ
Глава 4. Метод внесения ошибок, ориентированный на ПЛИС со статическим ОЗУ 56
4.1.
Введение 57
4.2.
Внесение сбоев в ПЛИС на основе статического ОЗУ 58
4.2.1.
Внесение ошибок, ориентированных на регистры пользователя 58
4.2.2.
Внесение ошибок в конфигурационные регистры 58
4.2.3.
Сравнение статического анализа и анализа в нулевой временной
координате 59
4.3.
FT-UNSHADES2 для использования с ПЛИС 60
4.4.
Частный случай 62
4.5.
Выводы 64
Литература 65
Глава 5. Система внесения сбоев для оценки чувствительности soft-процессора
в базисе ПЛИС Virtex-5 67
5.1.
Введение 67
5.2.
Сопутствующие работы 70
5.3.
Платформа XRTC Virtex-5 (XRTC-V5FI) 70
5.3.1.
Архитектура 71
5.3.2.
Атрибуты 72
5.3.3.
Методология 73
5.4.
Внесение ошибок в soft-процессор 74
5.4.1.
Soft-процессор, использованный в экспериментах 75
5.4.2.
Тестовые проекты для soft-процессоров 75
5.5.
Результаты и их анализ 76
5.5.1.
Исходная и нормированная чувствительность 77
5.5.2.
Эксперимент «сброс – восстановление» 78
5.6.
Выводы 78
Литература 79
Глава 6. Энергосберегающая адаптивная платформа FDIR, применяющая модули
гетерогенных систем на кристалле 81
6.1.
Сопутствующие работы 84
6.2.
Платформа FDIR, адаптируемая к вычислительной нагрузке 85
6.2.1.
Система управления восстановлением после сбоя 85
6.2.2.
Разнородные сигналы «Подтверждение соединения» 86
6.2.3.
Адаптивная система управления 87
6.3.
Эталонное тестирование приложений 89
6.3.1.
Кластеризация методом k-средних 89
6.4.
Эксперименты 90
6.4.1.
Установка испытаний прототипа 91
6.4.2.
Настройка эксперимента 91
6.5.
Результаты 92
6.6.
Выводы и перспективы 94
Литература 95
Глава 7. Гибридная очистка конфигурации для ПЛИС 7-й серии компании Xilinx 97
7.1.
Введение 97
7.2.
Очистка конфигурации 99
7.3.
Конфигурация ПЛИС 7-й серии Xilinx 100
7.4.
Архитектура гибридной очистки 102
7.5.
Радиационные испытания 104
7.6.
Выводы и будущее направление работы 106
Литература 107
Глава 8. Анализ потребляемой мощности систем с n-модульным резервированием
на основе ПЛИС со статическим ОЗУ 108
8.1.
Введение 108
8.2.
Моделирование потребляемой мощности ПЛИС со статическим ОЗУ 110
8.2.1.
Учет потребляемой мощности для реализации метода nMR на ПЛИС 112
8.3.
Расчет потребляемой мощности на учебных примерах схем, реализованных
в базисе ПЛИС со статическим ОЗУ 115
8.3.1.
Учебный пример № 1: MiniMIPS 115
8.3.2.
Учебный пример № 2: цепочка сумматоров 119
8.4.
Выводы 122
Литература 122
Глава 9. Ядро управления отказоустойчивой системой для динамической частичной
реконфигурации ПЛИС 124
9.1.
Введение 125
9.2.
Классический метод динамической частичной конфигурации (DPR) 126
9.3.
Предлагаемое ядро управления DPR 129
9.3.1.
Архитектура DPRM 129
9.3.2.
Отказоустойчивость DPRM 132
9.4.
Установка для испытаний и результаты внесения ошибок 133
9.5.
Выводы и направление будущей работы 135
Литература 135
Глава 10. Наземная платформа внесения множественных сбоев для ПЛИС
со статическим ОЗУ на основе наземных радиационных экспериментов 137
10.1.
Введение 137
10.2.
Сопутствующая работа 138
10.3.
Аппаратная реализация платформы внесения множественных сбоев 139
10.3.1.
Организация конфигурационной памяти в ПЛИС Virtex-5 140
10.3.2.
Метод проведения мероприятий по внесению сбоев 142
10.4.
Метод для захвата и моделирования однобитовых сбоев 145
10.4.1.
Моделирование с использованием базы данных предыдущих
наземных радиационных экспериментов 145
10.4.2.
Моделирование SEU с помощью созданных компьютером данных 147
10.5.
Результаты мероприятий по внесению сбоев и их сравнение 148
10.6.
Выводы 151
Литература 151
ЧАСТЬ IV. ПЛИС С ФЛЭШПАМЯТЬЮ
Глава 11. Радиационные эффекты в 65-нм ПЛИС 153
11.1.
Введение 153
11.2.
Конфигурационные ячейки флэш-памяти 154
11.3.
Радиационные испытания 157
11.3.1.
Радиационные испытания на воздействия суммарной дозы
ионизирующего излучения 158
11.3.2.
Радиационные испытания на одиночные события, вызванные
ионизирующим излучением 159
11.4.
Результаты радиационных испытаний на воздействия суммарной дозы
ионизирующего излучения 160
11.4.1.
Воздействие суммарной дозы ионизирующего излучения на ячейки
флэш-памяти 160
11.4.2.
Воздействие суммарной дозы ионизирующего излучения
на КМОП-транзисторы 162
11.4.3.
Влияние суммарной дозы ионизирующего излучения на задержку
распространения 163
11.4.4.
Влияние суммарной дозы ионизирующего излучения на токи
источников питания в режиме ожидания 165
11.5.
Результаты радиационных испытаний на одиночные события, вызванные
ионизирующим излучением 166
11.5.1.
Тиристорный эффект в ПЛИС 166
11.5.2.
SEU для ячеек флэш-памяти 166
11.5.3.
SEU для встроенного статического ОЗУ 167
11.5.4.
SEU триггеров логических ресурсов ПЛИС 169
11.6.
Будущая работа 171
Литература 171
Глава 12. Применение метода C-кратного замедления с корректировкой временных
параметров в маломощных и критических для обеспечения безопасности применениях 173
12.1.
Введение 173
12.2.
Предпосылки 174
12.3.
Организация главы и полученные результаты 174
12.4.
Метод CSR 175
12.4.1.
Теория метода CSR 175
12.4.2.
CSR на RTL 175
12.4.3.
Проверка изменений при проектировании CSR 176
12.5.
Потребляемая мощность проектов, использующих метод CSR 176
12.5.1.
Обзор 176
12.5.2.
Применение в CSR обоих фронтов тактовых сигналов 177
12.5.3.
P при выполнении идентичных потоков 177
12.6.
Обнаружения с помощью CSR одиночных сбоев (SEU) 178
12.6.1.
Обнаружение SEU стандартным CSR 178
12.6.2.
Восстановление 179
12.6.3.
Уменьшение сдвиговых регистров 179
12.7.
Результаты 180
12.8.
Краткое изложение результатов 184
Литература 184
Глава 13. Усовершенствование применения функции обнаружения и исправления
ошибок в радиационно-стойких ПЛИС 186
13.1.
Введение 186
13.2.
Коды SEC-DED для обнаружения и устранения ошибок 188
13.3.
Описание алгоритма 189
13.3.1.
Цели оптимизации 189
13.3.2.
Пошаговая процедура 190
13.4.
Результаты 191
13.5.
Выводы 195
Литература 196
аналого-цифровых ПЛИС с флэш-памятью 198
14.1.
Введение 198
14.2.
Платформа аналого-цифровой СнК SmartFusion 200
14.3.
Предложенный метод для исследуемого случая, использующий
резервирование 201
14.3.1.
Аналого-цифровая испытуемая схема с разнобразием резервирования
проектов (DDR — Design Diversity Redundancy) 201
14.3.2.
Комплементарные цифровые проекты 203
14.4.
Установка для испытаний на воздействие нейтронов 203
14.5.
Результаты испытаний 205
14.5.1.
Аналого-цифровая схема с разнообразием резервирования (DDRDMR)
205
14.5.2.
Моделирование перераспределения заряда в SAR АЦП 207
14.5.3.
Комплементарные цифровые проекты 210
14.6.
Выводы 212
Литература 212
ЧАСТЬ V. ВСТРОЕННЫЕ ПРОЦЕССОРЫ В СнК
Глава 15. Устранение случайных ошибок во встраиваемых микропроцессорных ядрах
СнК на основе ПЛИС 214
15.1.
Введение 215
15.2.
Допущения 216
15.3.
Модель поведенческих ошибок микропроцессорного ядра при SEE 216
15.4.
Методы обнаружения ошибок 218
15.4.1.
Методы повышения отказоустойчивости данных 218
15.4.2.
Методы контроля потока управления 219
15.4.3.
Помехоустойчивость 222
15.4.4.
Гибридный метод 222
15.5.
Ошибки SEE в процессорных ядрах СнК 223
15.5.1.
Конструкция сторожевого устройства для СнК 225
15.5.2.
Дублирование программного уровня для СнК 227
15.6.
Вариант использования 228
15.7.
Выводы 230
Литература 230
Глава 16. Устранение случайных ошибок в soft-процессорах ПЛИС 233
16.1.
Введение 233
16.1.1.
Необходимость устранения сбоев 234
16.1.2.
Возможные варианты решения 234
16.2.
ПЛИС в качестве технологической платформы для soft-ядер 234
16.2.1.
Альтернативные варианты 235
16.3.
Аппаратные методы 236
16.3.1.
Защита памяти на основе резервирования информации 236
16.3.2.
Защита памяти с помощью схемной логики 236
16.4.
Программно-реализуемые методы 237
16.4.1.
Методы защиты потока управления программы 237
16.4.2.
Методы защиты данных 239
16.5.
Гибридные методы 242
16.6.
Выводы 247
Литература 247
Глава 17. Сокращение скрытого увеличения задействованных вычислительных
ресурсов программой устранения случайных ошибок с помощью селективного
повышения отказоустойчивости 252
17.1.
Введение 252
17.2.
Селективное программно-реализуемое повышение отказоустойчивости 254
17.2.1.
Селективный метод SWIFT-R 255
17.3.
Селективное аппаратно-реализуемое повышение отказоустойчивости 260
17.3.1.
Селективное TMR 262
17.4.
Совместное повышение отказоустойчивости: разработка метода
селективного повышения отказоустойчивости с аппаратной
и программной реализацией 264
17.4.1.
Совместное повышение отказоустойчивости на конкретном примере:
S-SWIFT-R + S-TMR 266
17.5.
Выводы 269
Литература 269
Глава 18. Сокращение дополнительных вычислительных ресурсов в программно-
реализуемых методах обеспечения отказоустойчивости потока данных 272
18.1.
Введение 273
18.2.
Программное обеспечение отказоустойчивости 274
18.2.1.
Методы для потока управления 274
18.2.2.
Методы для потока данных 274
18.3.
Метод и его реализация 276
18.4.
Результаты 280
18.5.
Выводы 282
Литература 283
Глава 19. Отказоустойчивые методы для процессоров с soft-ядром, использующие
интерфейс трассировки 285
19.1.
Введение 285
19.2.
Связанные с рассматриваемой проблемой работы 287
19.3.
Интерфейс трассировки 289
19.4.
Проверка выполнения 289
19.4.1.
Результаты экспериментов 291
19.5.
Проверка потока управления 292
19.5.1.
Прогноз для счетчика команд 292
19.5.2.
Проверка на основе сигнатуры 293
19.5.3.
Двойной контроль потока управления 294
19.5.4.
Результаты экспериментов 295
19.6.
Выводы 296
Литература 297
ЧАСТЬ VI. ПАРАЛЛЕЛЬНЫЕ АРХИТЕКТУРЫ И ГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССОРЫ 299
Глава 20. Влияние случайных ошибок на графические процессоры 299
20.1.
Введение 300
20.2.
Архитектура GPU и уязвимость к воздействиям радиации 301
20.3.
Экспериментальная установка 304
20.4.
Результаты экспериментов 306
20.4.1.
Структуры основных испытаний 306
20.4.2.
Динамические испытания 309
20.5.
Выводы 313
Литература 314
Cписок сокращений и аббревиатур 316
Введение от авторов русского перевода
Даже работающие на уровне земли заказные специализируемые большие интегральные
схемы (БИС) могут подвергаться воздействиям нейтронов, которые приводят к одиночным
событиям или сбоям (SEE), вызывающим отказы радиоэлектронной аппаратуры (РЭА),
не говоря об условиях эксплуатации в космическом пространстве. Высокоэнергетические
нейтроны появляются в результате столкновений космических галактических лучей с ато-
мами в атмосфере и могут приводить к изменению состояния конфигурационных ячеек
памяти и последовательностной логики, вызывая появление случайных одиночных сбоев
(SEU) или изменяя функцию схемы в комбинаторной логике, а также приводя к случайно-
му одиночному сбою переключения (SET).
Одиночные сбои снижают надежность систем, если не принимать никаких мер для их пре-
дотвращения. В космосе, за пределами защиты магнитосферы Земли, SEU становятся крайне
острой проблемой из-за высоких уровней радиации. SEU могут приводить к серьезным по-
следствиям для космического аппарата, таким как потеря информации, сбои в функционировании или утрата контроля, например ошибочное выполнение прикладной программы.
При непрерывном снижении технологических проектных норм изготовления вызван-
ные воздействием радиации ошибки стали главной проблемой. С уменьшением геометри-
ческих размеров транзистора появляется вероятность того, что одна падающая частица бу-
дет воздействовать не на один, а на несколько транзисторов, создавая множественные сбои
ячеек в массивах памяти (MCU).
В настоящее время как зарубежные компании, так и отечественные производители
выпускают радиационно-стойкие ПЛИС. Например, ПЛИС компании Xilinx серии Virtex-
5QV с конфигурационными ячейками памяти на статическом ОЗУ или структурирован-
ные ПЛИС компании MicroSemi серии RT ProASIC3 с ячейками на основе флэш-памяти
и ПЛИС с токопроводящими перемычками серии RTAX («антифьюз»). Радиационно-
стойкие ПЛИС серии Virtex-5QV обеспечивают высокую защиту от SEU, SET, MBU, за-
щелкиваний (SEL), выдерживают высокие дозы ионизирующего излучения (TID).
Стойкость к одиночным сбоям в радиационно-стойких ПЛИС обеспечивается спе-
циальными схемотехническими методами проектирования (RHBD) и особыми техноло-
гическими приемами (RHBP). RHBD предполагает использование тройного модульного
резервирования (TMR) конфигурации и управляющей логики JTAG-интерфейса, двой-
ных триггеров в конфигурационной памяти, двойных триггеров-защелок и SET-фильтров
на всех входах триггеров конфигурируемых логических блоков, встроенных схем обнару-
жения и исправления ошибок в блочной памяти (ECC, SECDED). Большинство ПЛИС
компании Xilinx поддерживают частичную динамическую реконфигурацию (DPR), кото-
рая выполняется во время работы системы через внутренний порт доступа к конфигура-
ционным битам (ICAP). Динамическая реконфигурация часто используется в различных
областях, таких как мультимедийные средства информации, авионика, аэрокосмическая
промышленность, а также в других интеллектуальных системах для изменения их функ-
циональности и локализации сбоев. Процесс реконфигурации – один из наиболее важ-
ных этапов исключения скопления сбоев в ячейках статического ОЗУ, которые должны
быть устранены в течение определенного времени, требуемого для восстановления. Для
поддержки радиационно-стойких ПЛИС компанией Xilinx разработана программно-
аппаратная платформа для оценки устойчивости конфигурационной памяти ПЛИС с soft-
процессорами к SEU и SET-методом внесения ошибок (Fault Injector).
Имеющиеся в продаже зарубежные COTS БИС, в т. ч. и ПЛИС, в последние годы ши-
роко используются в РЭА с длительным сроком активного существования. Использова-
ние COTS БИС позволяет создавать современное высокотехнологическое РЭА, т. к. они
содержат самые инновационные решения при низкой стоимости и наличии в свободной
продаже. COTS ПЛИС предоставляют возможность разработки специализированных ми-
кропроцессорных систем в составе РЭА.
Однако COTS ПЛИС и графические процессоры специально не разработаны для обе-
спечения стойкости к воздействию радиации. Для проектов, реализуемых в базисе COTS
ПЛИС, необходимо использовать отказоустойчивые методы разработки: программно-
реализуемые методы обеспечения отказоустойчивости (SWIFT), в частности селективное
программно-реализуемое отказоустойчивое восстановление (S-SWIFT-R), гибридные мето-
ды с программным резервированием с той или иной аппаратной поддержкой, разнообразие
резервирования проектов (DDR), коды обнаружения и исправления ошибок (ECC) и др.
Авторы перевода надеются, что сборник научных трудов под редакцией Ф. Кастенш-
мидт и П. Реха «ПЛИС и параллельные архитектуры для применения в аэрокосмической
области. Программные ошибки и отказоустойчивое проектирование» будет полезен
не только инженерно-техническим работникам, занимающимся применением серийно
выпускаемых ПЛИС в авиации, космонавтике, в приборостроении для транспорта и дру-
гих критических важных областях народного хозяйства, но и магистрантам, обучающимся
по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», а также аспиран-
там, проходящим обучение по направлению подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотех-
ника и системы связи».
Часть I. Введение
Глава 1. Воздействие радиации и отказоустойчивые методы для ПЛИС и графических процессоров
Фернанда Кастеншмидт и Паоло Рех
Краткое содержание. В этой книге приводится понятие устранимых ошибок, возникающих
в ПЛИС типа ППВМ ( FPGA — Field Programmable Gate Array) и графических процессорах.
В главах рассматриваются радиационные эффекты в ПЛИС, отказоустойчивые методы для
ПЛИС, применение серийно выпускаемых ПЛИС в авиации и космонавтике, экспери-
ментальные данные о воздействии радиации на ПЛИС, встроенные в ПЛИС процессоры
под воздействием радиации и внесение ошибок в ПЛИС. Поскольку специализированная
архитектура параллельной обработки, как в случае графического процессора, стала более
востребованной в авиации и космонавтике благодаря высоким вычислительным возмож-
ностям, также приводятся результаты анализа поведения графического процессора под
воздействием радиации.
1.1. Введение
Программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ) весьма привлекательны
для авиации и космонавтики, а также для многих наземных областей применения, в кото-
рых необходим высокий уровень надежности, таких как автомобили, банковские серверы,
перерабатывающие предприятия и т. п. Большой объем ресурсов, доступный в програм-
мируемых логических устройствах, может, например, увеличить возможности бортовых
компьютеров на спутниках и в автомобильной промышленности. Поскольку ПЛИС может конфигурироваться/программироваться на месте эксплуатации, исправление проектных
новые области применения и новые функции могут быть внесены уже после запуска спут-
ника или корректироваться при наличии электромагнитных помех. Современные ПЛИС
как системы на кристале (СнК, SoC — System-on-Chip) содержат различные программные
и аппаратные процессорные ядра, встроенные цифровые сигнальные процессоры, блоки
памяти и большое число конфигурируемых логических блоков, которые можно настраи-
вать индивидуально для реализации проектных решений пользователя.
Графические процессоры ( GPU — Graphics Processing Units) традиционно используют-
ся для ускорения получения графических изображений в персональных компьютерах или
портативных устройствах. В мультимедийных приложениях надежность не имеет большого
значения, т. к. вероятность сбоя слишком низкая, а имеющиеся ошибки вполне «терпи-
мы», поскольку глаз человека не может их различить. Тем не менее последние графические
процессоры стали применяться в тех областях, в которых надежность имеет достаточно
большое значение. Благодаря их эффективности, вычислительным возможностям и низ-
кому потреблению электроэнергии по сравнению с традиционными вычислительными
процессорами, эти последние разработки графических процессоров фактически являют-
ся частью проектов в авиации и космонавтике. Возможности параллельных вычислений
графических процессоров могут использоваться для сжатия изображений на спутниках,
чтобы ограничить полосу пропускания, необходимую для их отправки на Землю. Кроме
того, графические процессоры применяются в современных системах содействия управ-
лению транспортным средством ( ADAS — Advanced Driver Assistance Systems) и помогают
водителям избегать аварийных ситуаций. И наконец, графические процессоры широко ис-
пользуются в качестве ускорителей в высокопроизводительных вычислительных центрах
( HPC — High Performance Computing сenters). Крупные HPC-центры имеют тысячи графи-
ческих процессоров, которые работают параллельно, значительно повышая вероятность
появления искажений по крайней мере в одном графическом процессоре под действием
радиации.
К сожалению, как ПЛИС, так и графические процессоры оказались очень чувствитель-
ными к радиации, главным образом потому, что они изготавливаются по нанометровым
технологическим процессам. Важно измерить экспериментально частоту появления устра-
нимых ошибок доступных ресурсов, а также частоту появления ошибок на выходе опре-
деленных приложений, чтобы оценить, удовлетворяют ли они требованиям надежности
проекта. Экспериментальное снятие характеристик используемых программируемых ком-
понент и графического процессора является обязательным условием для подтверждения
возможности их применения при кратковременных отказах. Методика испытания и снятия
характеристик ПЛИС и графических процессоров при воздействии радиации необходима
для надлежащего выбора и оценки отказоустойчивых методов, чтобы сделать эти компо-
ненты более стойкими к воздействию радиации. Радиационные эксперименты, несмотря
на их сложность и стоимость, являются единственным известным и сертифицированным
способом для точного измерения вероятности отказа в современных интегральных схемах.
1.2. Радиационные эффекты
Интегральные схемы, работающие в среде, находящейся под воздействием радиации, чув-
ствительны к кратковременным сбоям, вызванным взаимодействием ионизирующих ча-
стиц с кремнием. Частица считается ионизирующей, если она способна разделить атом
на ионы. Ионизирующее излучение вызывает отказы в электронных устройствах, посколь-
ку наведенный заряд может возмущать состояние транзистора. Этот заряд может быть на-
веден непосредственно (если ионизирующая частица заряжена) или опосредованно. Уда-
ры нейтронов, например, создают вторичные частицы (альфа-частицы, ионы, протоны), которые имеют заряд и могут возмущать транзистор. Взаимодействие ионизирующих ча-
стиц с транзисторами может вызвать кратковременные и постоянные сбои, в зависимости
от положения и количества переданного заряда (напрямую или опосредованно) в материал
в результате столкновений частиц с кремнием.
Эффекты, вызванные воздействием ионизирующего излучения, носящие название
одиночных событий ( SEE — Single Event Eff ects), могут приводить к восстанавливаемым
(кратковременным) или постоянным (невосстанавливаемым) отказам [1]. Когда SEE про-
является кратковременно, его принято называть устранимой ошибкой (или однократным
восстанавливаемым отказом), поскольку устройство не получило необратимого повреж-
дения. Примером устранимой ошибки является одиночный сбой ячейки памяти ( SEU —
Single Event Upset) и случайный одиночный сбой переключения выхода логического эле-
мента ( SET — Single Event Transient). Примером SEU является инвертирование разрядов,
которые возникают, когда при ударе ионизирующих частиц по транзистору ячейки памяти
наводится заряд, достаточный для изменения состояния на противоположное. Эта ячейка
памяти по-прежнему работает надлежащим образом, выполняя операции чтения и запи-
си, но хранившаяся в ней информация повреждена. При ударе ионизирующей частицы
по логическому элементу создается пилообразный скачок напряжения, который при за-
щелкивании приводит к SET. И опять же логический элемент не поврежден, поскольку но-
вая операция в конечном счете будет выполнена правильно. Следует отметить, что понятие
устранимой ошибки не уменьшает серьезности вызванных радиацией ошибок.
В противоположность этому кратковременный и стохастический характер устранимых
ошибок приводит к чрезвычайной сложности их идентификации и исправления. Посто-
янная неисправность в ячейке памяти означает, что эту ячейку можно отметить как не-
используемую, тогда как вероятность появления SEU делает всю матрицу ячеек памяти
потенциально неисправной. Следует отметить, что с уменьшением размеров транзистора
появляется вероятность того, что одна падающая частица будет воздействовать не на один,
а на несколько транзисторов, создавая множественные сбои ячеек ( MCU — Multiple Cell
Upset) в массивах памяти. Если поврежденные биты принадлежат одному слову памяти,
MCU называют многобитовыми сбоями ( MBU — Multiple Bit Upset). MBU особенно кри-
тичны, поскольку они разрушают эффективность кодирования с исправлением ошибок
(коды коррекции ошибок) ( ECC — Error Correcting Codes). На рис. 1.1 приведены примеры
единичных, многократных и случайных сбоев переключения в интегральных схемах.
Ионизирующее излучение может также вызывать постоянные отказы, такие как оди-
ночное событие радиационного защелкивания ( SEL — Single Event Latchup), одиночный
пробой подзатворного диэлектрика мощного МОП-транзистора ( SEGR — Single Event
Gate Rupture) или единичный пробой сток/истоковых областей МОП-транзистора ( SEB —
Single Event Burnout). И наконец, накопление воздействий частиц приводит к cуммарной дозе ионизирующего излучения ( TID — Total Ionizing Dose), которая проявляется в ухуд-
шении рабочих характеристик транзисторов, поскольку изменяет пороговое напряжение
и ток утечки.
Радиационное окружение состоит из различных частиц, генерируемых солнечной
и звездной активностью [2]. Космическое пространство наполнено галактическими кос-
мическими лучами, которые являются потоком тяжелых ионов, создаваемых взрывами
сверхновых звезд или столкновениями небесных тел. Высвобожденные в результате атомы,
блуждающие во Вселенной, теряют протоны или электроны, тем самым приобретая заряд.
В результате взаимодействия с магнитными полями планет и звезд эти ионы приобретают
ускорение, достигая энергий порядка гигаэлектрон-вольт (ГэВ). Солнце создает потоки
протонов и электронов, которые достигают Земли с низкими энергиями, поскольку у них
не было достаточного времени для ускорения.
Эти частицы можно разделить на два основных типа: 1) частицы с высокой энергией,
такие как нейтроны, электроны, протоны и тяжелые ионы, и 2) электромагнитное излуче-
ние (фотоны), к которому относятся рентгеновское излучение, гамма-лучи и ультрафиоле-
товое (УФ) излучение. Основными источниками частиц с высокой энергией, вносящими
свой вклад в радиационные эффекты, являются протоны и электроны, захваченные пояса-
ми Ван Аллена, тяжелые ионы, захваченные в ионосфере, галактические космические лучи
и солнечные вспышки. Заряженные частицы взаимодействуют с атомами кремния, вызы-
вая возбуждение электронов и ионизацию атомов.
На уровне Земли наиболее часто вызывают сбои нейтроны. Нейтроны появляются
в результате взаимодействий в верхних слоях атмосферы космических ионов с молекула-
ми кислорода и азота. Следует отметить, что если солнечный ветер оказывается захвачен-
ным в поясах Ван Аллена из-за низкой энергии образующих его частиц, то галактические
космические лучи обладают достаточно высокой энергией, чтобы пройти через эти пояса
и проникнуть в верхние слои земной атмосферы. Поток нейтронов сильно зависит от таких
ключевых параметров, как высота, широта и долгота. В этом потоке есть нейтроны с вы-
сокой энергией, которые взаимодействуют с материалом, создавая свободные электронно-
дырочные пары, и нейтроны с низкой энергией. Эти нейтроны взаимодействуют с содержа-
щимся в полупроводниковом материале бором, создавая другие частицы. Альфа-частицы
являются вторичными частицами, которые возникают в результате взаимодействия с ра-
диоактивными примесями, содержащимися в самом устройстве или в материале корпуса,
и создают наибольшие проблемы. Выбор используемых материалов состоит в сведении
к минимуму эмиссии альфа-частиц. Однако это не может устранить проблему полностью.
Поскольку высокоэнергетическая частица, проходя сквозь представляющий интерес
материал, например через отрицательно смещенный p-n-переход, вдоль всего пути следо-
вания, теряет при этом свою энергию, что подробно описывается в [3]. Эта энергия рассчи-
тывается как линейная передача энергии ( LET — Linear Energy Transfer) и определяется как потеря энергии частицы вдоль пройденного пути, нормированная на плотность материала.
Она обычно выражается в МэВ ⋅ см2/мг. Общее число зарядов пропорционально LET до-
летающих частиц. В зависимости от способа изготовления и электрических характеристик
каждого чувствительного элемента, таких как сопротивление и емкость, создаются крат-
ковременные скачки напряжения различной амплитуды и длительности.
1.3. Устранимые ошибки в ПЛИС
Программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ) являются реконфигу-
рируемыми интегральными схемами на основе регулярных структур с высокой плотно-
стью логических элементов, которые настраиваются конечным пользователем под раз-
личные проектные решения. Архитектура ПЛИС основана на матрице логических блоков
мутаторов используются несколько различных технологий программирования. В настоя-
щее время используются технологии программирования коммутаторов трех типов: стати-
ческое ОЗУ (оперативное запоминающее устройство), в котором роль программируемого
коммутатора выполняет проходной транзистор или мультиплексор, управляемый состоя-
нием бита статического ОЗУ (ПЛИС со статическим ОЗУ ( SRAM — Static Random Access
Memory)); проводящий мостик (antifuse) — электрически программируемый коммутатор
образует низкоомный канал между двумя металлическими слоями (ПЛИС на основе про-
водящей перемычки); стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство
(СППЗУ, EPROM — Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое
перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ, EEPROM — Electrically Erasable Programmable Read-
Only Memory) или флэш-ячейка (FLASH), когда коммутатор представляет собой транзистор
с плавающим затвором, который можно отключить, подав заряд на плавающий затвор.
Настройки на основе статического ОЗУ являются энергозависимыми. Это означает,
что ПЛИС на основе статического ОЗУ можно перепрограммировать на месте их работы
столько раз, сколько это необходимо, и что они теряют содержащуюся в них информацию
при отключении запоминающего устройства от электропитания. Решения с проводящими
перемычками являются энергонезависимыми, поэтому сохраняют конфигурацию даже при
отключенном электропитании и могут программироваться только один раз. Каждая ПЛИС
имеет определенную архитектуру. Компании, разрабатывающие программируемую логику,
такие как Xilinx, MicroSemi, Aerofl ex (имеющая лицензию на ПЛИС компании Quicklogic),
Atmel и Honeywell (имеющая лицензию на ПЛИС компании Atmel), предлагают стойкие
к воздействию радиации семейства ПЛИС. Каждая компания применяет разные методы
подавления сбоев с учетом характеристик архитектуры.
1.3.1. Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
со статическим ОЗУ
ПЛИС со статическим ОЗУ состоят из матрицы конфигурируемых логических блоков
(КЛБ, CLB — Confi gurable Logic Blocks), сложной структуры трассировочных ресурсов,
матрицы встроенных элементов памяти (блоков ОЗУ, RAM — Random Access Memory), ма-
трицы блоков цифровой обработки сигналов (ЦОС-блоки, DSP — Digital Signal Processing)
и набора управляющей и контролирующей логики. Блоки КЛБ состоят из таблиц преоб-
разований ( LUT — Look-up Table), которые обеспечивают выполнение комбинационной
логики, и D-триггеров, тактируемых фронтом синхросигнала ( DFF — Flip-Flops), отве-
чающих за последовательностную логику. Структура трассировочных ресурсов может быть
очень сложной и состоять из миллионов предустановленных соединений, которые могут
настраиваться с помощью мультиплексоров и коммутаторов для получения требуемой
маршрутизации.
Конфигурация всех КЛБ, маршрутизации, блоков ОЗУ, ЦОС-блоков и модулей ввода-
вывода задается с помощью установки битов конфигурационной памяти, данный набор би-
тов носит название битового потока или прошивки. В зависимости от размера устройства
ПЛИС битовый поток может содержать миллионы бит. Ячейки памяти, которые хранят би-
товый поток внутри ПЛИС, образуют ячейки памяти статического ОЗУ, поэтому их можно
перепрограммировать и они энергозависимы. Возникновение SEE в конфигурационной
памяти ПЛИС на основе статического ОЗУ может спровоцировать инвертирование битов.
Такое инвертирование битов может изменить маршрутизацию, конфигурацию LUT или
триггера в КЛБ и привести к катастрофическим последствиям в проекте, поскольку SEE
может изменить его функциональность.
SEE в битах конфигурационной памяти ПЛИС на основе статического ОЗУ при-
водит к постоянному эффекту, и его можно устранить только перепрограммированием
ПЛИС [4]. В комбинационной логике последствия SEE связаны с постоянным сбоем
(ноль или единица) в одной или нескольких ячейках конфигурации LUT. На рис. 1.2 мож-
но видеть примеры возникновения SEU в конфигурационных ячейках LUT и в ячейке,
контролирующей соединения маршрутизации. SEE в архитектуре маршрутизации может
подключать или отключать межсоединение в матрице. Это также относится к постоян-
ному эффекту. Результатом такого воздействия может быть изменение электрической
схемы, что приводит к изменению логики работы схемы, или появление короткого за-
мыкания в комбинационной логике, интерпретируемой ПЛИС. Может пройти большое
количество тактов синхросигнала, прежде чем постоянная ошибка такого рода будет вы-
явлена и запустятся необходимые восстановительные процедуры по загрузке неповреж-
денного битового потока. За это время ошибка может распространяться в оставшуюся
часть проекта.
Инвертирование битов также может происходить в триггерах КЛБ, используемых для
реализации последовательностной логики пользователя. В этом случае инвертирование
бита имеет кратковременный эффект и последующая загрузка триггера устранит ее.
1.3.2. Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
на основе флэш-памяти
ПЛИС на основе флэш-памяти имеют перестраиваемую конфигурацию матрицы, со-
стоящую из логических ячеек ПЛИС ( VersaTiles) и трассировочных ресурсов, которые
программируются включением или отключением коммутаторов (конфигурационных ключей), построенных на базе транзисторов с плавающим затвором ( FG — Floating Gate)
(n-канальный МОП-транзистор с многоуровневым затвором) [5]. Цепь такого коммута-
тора состоит из двух n-канальных МОП-транзисторов: 1) считывающего транзистора для
программирования плавающего затвора и считывания тока во время измерения порого-
вого напряжения и 2) переключающего транзистора для включения и отключения линии
передачи данных в ПЛИС (рис. 1.3). Эти два транзистора совместно используют одни и те
же управляющий и плавающий затворы. Пороговое напряжение определяется накоп-
ленным зарядом в плавающем затворе. Рис. 1.3 иллюстрирует логические ячейки ПЛИС
(VersaTiles), используемые для построения типовых логических элементов. VersaTiles под-
ключаются по четырехуровневой иерархии трассировочных ресурсов: сверхбыстрые ло-
кальные ресурсы, эффективные ресурсы маршрутизации для длинных линий, высокоско-
ростные ресурсы маршрутизации для очень длинных линий, высокопроизводительные
сети VersaNet.
Каждая ячейка VersaTile может реализовать любую трехвходовую логическую функ-
цию, что эквивалентно трехвходовой таблице преобразования (3-LUT). Но важно за-
метить, что электрическая реализация VersaTile полностью отличается от электрической
реализации таблицы преобразования (LUT — Lookup Table). Поэтому VersaTiles при различных воздействия могут иметь отличное электрическое поведение по сравнению
с трехвходовыми LUT. VersaTiles также могут реализовать триггер-защелку с очисткой
и сбросом или D-триггер с очисткой или сбросом или включить D-триггер с очисткой
и сбросом посредством транзисторной логики и линий обратной связи внутри логической
ячейки VersaTile. Для каждой конфигурации ячейки VersaTile число переключателей пла-
вающего затвора и транзисторов в критическом пути меняется. Случайные сбои переклю-
чения ( SET — Single Event Transient) могут воздействовать на область стока транзистора
в отключенном состоянии, как это представлено на рис. 1.3, вызывая кратковременный
импульс в конфигурационных коммутаторах, или воздействовать на чувствительные об-
ласти транзисторов в ячейках VersaTile, создавая импульсные помехи или инвертирование
битов в зависимости от конфигурации данной ячейки (рис. 1.4). В главе 11 подробно рас-
сматривается оценка ошибок, вызванных радиацией, в ПЛИС, созданных по технологии
65 нм на основе флэш-памяти. В главе 14 приводится обзор влияния воздействия нейтро-
нов на ПЛИС по флэш-технологии, предназначенной для аналого-цифровой обработки
сигналов.
1.3.3. Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
с токопроводящими перемычками
ПЛИС с токопроводящими перемычками основаны на постоянной матрице, состоящей
из комбинационных C-ячеек и последовательностных R-ячеек, окруженных регулярны-
ми трассировочными каналами. Все варианты трассировки и конфигурации C- и R-ячеек
осуществляются расплавлением необходимых токопроводящих перемычек (программи-
руемых переключателей). Результаты наземных радиационных испытаний показали, что
программируемые переключатели на основе технологий ONO (Oxide – Nitride – Oxide, ок-
сид – нитрид – оксид) и MIM (Metal – Insulator – Metal, металл – изолятор – металл) явля-
ются стойкими к воздействию ионизации и накопленной дозы облучения [6]. Поэтому на-
страиваемая пользователем трассировка не чувствительна к SEU, только комбинационная
логика и триггеры, используемые для описания пользовательской последовательностной
логики, оказываются чувствительными к SEE.
Другим хорошо известным вариантом ПЛИС на основе расплавляемых токопрово-
дящих перемычек являются ППВМ компаний Aerofl ex и QuickLogic. Их архитектура со-
ставлена из матрицы конфигурируемых логических ячеек, используемых для реализации
комбинационной логики, и триггеров, которые окружены трассировочной структурой.
Программируемые переключатели, получившие название ViaLink, применяются для на-
стройки всех вариантов пользовательских конфигураций.
Чтобы подытожить воздействия SEU и SET на ПЛИС, в табл. 1.1 показаны воспри-
имчивые части архитектуры и разделение сбоев на кратковременные и продолжительные,
когда для устранения сбоя требуется реконфигурация.
1.4. Устранимые ошибки в графических процессорах
Модули графических процессоров представляют собой сложные системы параллельных
вычислений, которые используют большие структуры памяти, такие как кэш второго
и первого уровней (L2 и L1) или регистровые файлы, высокоэффективные арифметическо-
логические устройства (АЛУ, ALU — Arithmetic Logic Units), а также планировщики и дис-
петчеры задач.
Радиация может вызывать в структурах памяти графического процессора как оди-
ночные обратимые сбои, так и множественные сбои. Если радиация повреждает регистр,
то процесс, использующий этот регистр для вычислений, вероятнее всего, выдаст невер-
ный результат. Специфика параллельных вычислений приводит к тому, что ошибки в кэш-
памяти графического процессора более существенны, чем в традиционных ЦПУ. Фак-
тически кэш-память первого уровня (L1) используется совместно всеми параллельными
процессами вычислений в потоковом мультипроцессоре ( SM — Steaming Multiprocessor),
тогда как кэш L2 распределяется между всеми SM. Поэтому ошибка в кэше L1 может,
в наиболее неблагоприятном случае, распространиться на все выполняемые текущим SM
параллельные процессы. Аналогичным образом ошибка в кэше L2 может повлиять на аб-
солютно все процессы, выполняемые графическим процессором [7].
Соударение падающей частицы с вентилем может привести к случайному сбою пере-
ключения. Что касается SEU, то его серьезность и общий суммарный эффект SET зависят
от области соударения. Если SET воздействует на вентиль внутри отдельного ядра, то поток
операций, выполняемых этим ядром, вероятно, даст на выходе единичный сбой. Однако
если SET приводит к сбою планировщика или диспетчера параллельных вычислений, это
может повлиять на вычисления нескольких процессов, а также привести к аварийному за-
вершению приложения или зависанию системы [8].
Чтобы иметь всестороннюю оценку чувствительности графического процессора, не-
достаточно измерить чувствительность к воздействию радиации отдельных ресурсов, та-
ких как модули памяти или логические вентили. Необходимо также проанализировать,
как эти ресурсы используются в вычислениях. Для этого можно провести радиационные
эксперименты на репрезентативном наборе приложений, чтобы иметь достаточно данных
для обобщения на остальные алгоритмы. Альтернативно этому можно вычислить коэффи-
циент уязвимости архитектуры ( AVF — Architectural Vulnerability Factor), т. e. вероятность
выдачи поврежденным ресурсом ошибки в выходных данных, как в [9]. В главе 20 подроб-
но рассматриваются возможные радиационные воздействия на графические процессоры
и показывается возможный путь оценки поведения графического процессора под воздей-
ствием радиации.
1.5. Отказоустойчивые методы
Отказоустойчивость определяется как набор методов по обеспечению рабочего режима,
при котором выполняется системная функция, несмотря на наличие (ограниченного набо-
ра) сбоев. Проблема отказоустойчивости полупроводниковых устройств обрела важность
после того, как несколько лет назад начали возникать сбои космической аппаратуры. С тех
пор интерес к изучению отказоустойчивых методов для поддержания работоспособности
интегральных схем (ИС, IC — Integrated Circuits) в таких неблагоприятных условиях окру-
жающей среды стал расти, ведомый всеми возможными областями применения стойких
к воздействию радиации ИС, как, например, полеты в космосе, спутниковые системы,
высокоэнергетические эксперименты в физике и т. п. Системы космических кораблей включают множество разнообразных аналоговых и цифровых компонентов, которые по-
тенциально чувствительны к воздействию радиации, и поэтому для обеспечения их надеж-
ности необходимо использовать отказоустойчивые методы.
1.5.1. Отказоустойчивые методы для ПЛИС
Различные отказоустойчивые методы применимы для ПЛИС в соответствии с типом тех-
нологии конфигурирования, архитектурой и заданной средой эксплуатации. Эти методы
могут быть реализованы пользователем с применением высокоуровневого языка описания
аппаратных средств ( HDL — Hardware Description Language), прежде чем проект будет син-
тезирован в ПЛИС. В этой книге авторы преимущественно рассматривают методы, которые
могут применяться самим пользователем при проектировании с помощью языка HDL.
Главные методы основаны на одном из двух принципов: пространственной или вре-
менной избыточности (резервировании) [10]. Пространственная избыточность сводится
к n-кратному дублированию конкретного модуля n идентичными модулями, все выходные
сигналы которых направляются в мажоритарную схему голосования. Обычно n является
нечетным числом. Схема голосования определяет правильный выходной сигнал по боль-
шинству равных выходных сигналов. Наиболее распространенным является вариант
n-модульного резервирования ( nMR — n-modular redundancy) с n, равным 3, получивший
название тройного модульного резервирования ( TMR — Triple Modular Redundancy). В этом
случае схема голосования позво
Даже работающие на уровне земли заказные специализируемые большие интегральные
схемы (БИС) могут подвергаться воздействиям нейтронов, которые приводят к одиночным
событиям или сбоям (SEE), вызывающим отказы радиоэлектронной аппаратуры (РЭА),
не говоря об условиях эксплуатации в космическом пространстве. Высокоэнергетические
нейтроны появляются в результате столкновений космических галактических лучей с ато-
мами в атмосфере и могут приводить к изменению состояния конфигурационных ячеек
памяти и последовательностной логики, вызывая появление случайных одиночных сбоев
(SEU) или изменяя функцию схемы в комбинаторной логике, а также приводя к случайно-
му одиночному сбою переключения (SET).
Одиночные сбои снижают надежность систем, если не принимать никаких мер для их пре-
дотвращения. В космосе, за пределами защиты магнитосферы Земли, SEU становятся крайне
острой проблемой из-за высоких уровней радиации. SEU могут приводить к серьезным по-
следствиям для космического аппарата, таким как потеря информации, сбои в функционировании или утрата контроля, например ошибочное выполнение прикладной программы.
При непрерывном снижении технологических проектных норм изготовления вызван-
ные воздействием радиации ошибки стали главной проблемой. С уменьшением геометри-
ческих размеров транзистора появляется вероятность того, что одна падающая частица бу-
дет воздействовать не на один, а на несколько транзисторов, создавая множественные сбои
ячеек в массивах памяти (MCU).
В настоящее время как зарубежные компании, так и отечественные производители
выпускают радиационно-стойкие ПЛИС. Например, ПЛИС компании Xilinx серии Virtex-
5QV с конфигурационными ячейками памяти на статическом ОЗУ или структурирован-
ные ПЛИС компании MicroSemi серии RT ProASIC3 с ячейками на основе флэш-памяти
и ПЛИС с токопроводящими перемычками серии RTAX («антифьюз»). Радиационно-
стойкие ПЛИС серии Virtex-5QV обеспечивают высокую защиту от SEU, SET, MBU, за-
щелкиваний (SEL), выдерживают высокие дозы ионизирующего излучения (TID).
Стойкость к одиночным сбоям в радиационно-стойких ПЛИС обеспечивается спе-
циальными схемотехническими методами проектирования (RHBD) и особыми техноло-
гическими приемами (RHBP). RHBD предполагает использование тройного модульного
резервирования (TMR) конфигурации и управляющей логики JTAG-интерфейса, двой-
ных триггеров в конфигурационной памяти, двойных триггеров-защелок и SET-фильтров
на всех входах триггеров конфигурируемых логических блоков, встроенных схем обнару-
жения и исправления ошибок в блочной памяти (ECC, SECDED). Большинство ПЛИС
компании Xilinx поддерживают частичную динамическую реконфигурацию (DPR), кото-
рая выполняется во время работы системы через внутренний порт доступа к конфигура-
ционным битам (ICAP). Динамическая реконфигурация часто используется в различных
областях, таких как мультимедийные средства информации, авионика, аэрокосмическая
промышленность, а также в других интеллектуальных системах для изменения их функ-
циональности и локализации сбоев. Процесс реконфигурации – один из наиболее важ-
ных этапов исключения скопления сбоев в ячейках статического ОЗУ, которые должны
быть устранены в течение определенного времени, требуемого для восстановления. Для
поддержки радиационно-стойких ПЛИС компанией Xilinx разработана программно-
аппаратная платформа для оценки устойчивости конфигурационной памяти ПЛИС с soft-
процессорами к SEU и SET-методом внесения ошибок (Fault Injector).
Имеющиеся в продаже зарубежные COTS БИС, в т. ч. и ПЛИС, в последние годы ши-
роко используются в РЭА с длительным сроком активного существования. Использова-
ние COTS БИС позволяет создавать современное высокотехнологическое РЭА, т. к. они
содержат самые инновационные решения при низкой стоимости и наличии в свободной
продаже. COTS ПЛИС предоставляют возможность разработки специализированных ми-
кропроцессорных систем в составе РЭА.
Однако COTS ПЛИС и графические процессоры специально не разработаны для обе-
спечения стойкости к воздействию радиации. Для проектов, реализуемых в базисе COTS
ПЛИС, необходимо использовать отказоустойчивые методы разработки: программно-
реализуемые методы обеспечения отказоустойчивости (SWIFT), в частности селективное
программно-реализуемое отказоустойчивое восстановление (S-SWIFT-R), гибридные мето-
ды с программным резервированием с той или иной аппаратной поддержкой, разнообразие
резервирования проектов (DDR), коды обнаружения и исправления ошибок (ECC) и др.
Авторы перевода надеются, что сборник научных трудов под редакцией Ф. Кастенш-
мидт и П. Реха «ПЛИС и параллельные архитектуры для применения в аэрокосмической
области. Программные ошибки и отказоустойчивое проектирование» будет полезен
не только инженерно-техническим работникам, занимающимся применением серийно
выпускаемых ПЛИС в авиации, космонавтике, в приборостроении для транспорта и дру-
гих критических важных областях народного хозяйства, но и магистрантам, обучающимся
по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», а также аспиран-
там, проходящим обучение по направлению подготовки 11.06.01 «Электроника, радиотех-
ника и системы связи».
Часть I. Введение
Глава 1. Воздействие радиации и отказоустойчивые методы для ПЛИС и графических процессоров
Фернанда Кастеншмидт и Паоло Рех
Краткое содержание. В этой книге приводится понятие устранимых ошибок, возникающих
в ПЛИС типа ППВМ ( FPGA — Field Programmable Gate Array) и графических процессорах.
В главах рассматриваются радиационные эффекты в ПЛИС, отказоустойчивые методы для
ПЛИС, применение серийно выпускаемых ПЛИС в авиации и космонавтике, экспери-
ментальные данные о воздействии радиации на ПЛИС, встроенные в ПЛИС процессоры
под воздействием радиации и внесение ошибок в ПЛИС. Поскольку специализированная
архитектура параллельной обработки, как в случае графического процессора, стала более
востребованной в авиации и космонавтике благодаря высоким вычислительным возмож-
ностям, также приводятся результаты анализа поведения графического процессора под
воздействием радиации.
1.1. Введение
Программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ) весьма привлекательны
для авиации и космонавтики, а также для многих наземных областей применения, в кото-
рых необходим высокий уровень надежности, таких как автомобили, банковские серверы,
перерабатывающие предприятия и т. п. Большой объем ресурсов, доступный в програм-
мируемых логических устройствах, может, например, увеличить возможности бортовых
компьютеров на спутниках и в автомобильной промышленности. Поскольку ПЛИС может конфигурироваться/программироваться на месте эксплуатации, исправление проектных
новые области применения и новые функции могут быть внесены уже после запуска спут-
ника или корректироваться при наличии электромагнитных помех. Современные ПЛИС
как системы на кристале (СнК, SoC — System-on-Chip) содержат различные программные
и аппаратные процессорные ядра, встроенные цифровые сигнальные процессоры, блоки
памяти и большое число конфигурируемых логических блоков, которые можно настраи-
вать индивидуально для реализации проектных решений пользователя.
Графические процессоры ( GPU — Graphics Processing Units) традиционно используют-
ся для ускорения получения графических изображений в персональных компьютерах или
портативных устройствах. В мультимедийных приложениях надежность не имеет большого
значения, т. к. вероятность сбоя слишком низкая, а имеющиеся ошибки вполне «терпи-
мы», поскольку глаз человека не может их различить. Тем не менее последние графические
процессоры стали применяться в тех областях, в которых надежность имеет достаточно
большое значение. Благодаря их эффективности, вычислительным возможностям и низ-
кому потреблению электроэнергии по сравнению с традиционными вычислительными
процессорами, эти последние разработки графических процессоров фактически являют-
ся частью проектов в авиации и космонавтике. Возможности параллельных вычислений
графических процессоров могут использоваться для сжатия изображений на спутниках,
чтобы ограничить полосу пропускания, необходимую для их отправки на Землю. Кроме
того, графические процессоры применяются в современных системах содействия управ-
лению транспортным средством ( ADAS — Advanced Driver Assistance Systems) и помогают
водителям избегать аварийных ситуаций. И наконец, графические процессоры широко ис-
пользуются в качестве ускорителей в высокопроизводительных вычислительных центрах
( HPC — High Performance Computing сenters). Крупные HPC-центры имеют тысячи графи-
ческих процессоров, которые работают параллельно, значительно повышая вероятность
появления искажений по крайней мере в одном графическом процессоре под действием
радиации.
К сожалению, как ПЛИС, так и графические процессоры оказались очень чувствитель-
ными к радиации, главным образом потому, что они изготавливаются по нанометровым
технологическим процессам. Важно измерить экспериментально частоту появления устра-
нимых ошибок доступных ресурсов, а также частоту появления ошибок на выходе опре-
деленных приложений, чтобы оценить, удовлетворяют ли они требованиям надежности
проекта. Экспериментальное снятие характеристик используемых программируемых ком-
понент и графического процессора является обязательным условием для подтверждения
возможности их применения при кратковременных отказах. Методика испытания и снятия
характеристик ПЛИС и графических процессоров при воздействии радиации необходима
для надлежащего выбора и оценки отказоустойчивых методов, чтобы сделать эти компо-
ненты более стойкими к воздействию радиации. Радиационные эксперименты, несмотря
на их сложность и стоимость, являются единственным известным и сертифицированным
способом для точного измерения вероятности отказа в современных интегральных схемах.
1.2. Радиационные эффекты
Интегральные схемы, работающие в среде, находящейся под воздействием радиации, чув-
ствительны к кратковременным сбоям, вызванным взаимодействием ионизирующих ча-
стиц с кремнием. Частица считается ионизирующей, если она способна разделить атом
на ионы. Ионизирующее излучение вызывает отказы в электронных устройствах, посколь-
ку наведенный заряд может возмущать состояние транзистора. Этот заряд может быть на-
веден непосредственно (если ионизирующая частица заряжена) или опосредованно. Уда-
ры нейтронов, например, создают вторичные частицы (альфа-частицы, ионы, протоны), которые имеют заряд и могут возмущать транзистор. Взаимодействие ионизирующих ча-
стиц с транзисторами может вызвать кратковременные и постоянные сбои, в зависимости
от положения и количества переданного заряда (напрямую или опосредованно) в материал
в результате столкновений частиц с кремнием.
Эффекты, вызванные воздействием ионизирующего излучения, носящие название
одиночных событий ( SEE — Single Event Eff ects), могут приводить к восстанавливаемым
(кратковременным) или постоянным (невосстанавливаемым) отказам [1]. Когда SEE про-
является кратковременно, его принято называть устранимой ошибкой (или однократным
восстанавливаемым отказом), поскольку устройство не получило необратимого повреж-
дения. Примером устранимой ошибки является одиночный сбой ячейки памяти ( SEU —
Single Event Upset) и случайный одиночный сбой переключения выхода логического эле-
мента ( SET — Single Event Transient). Примером SEU является инвертирование разрядов,
которые возникают, когда при ударе ионизирующих частиц по транзистору ячейки памяти
наводится заряд, достаточный для изменения состояния на противоположное. Эта ячейка
памяти по-прежнему работает надлежащим образом, выполняя операции чтения и запи-
си, но хранившаяся в ней информация повреждена. При ударе ионизирующей частицы
по логическому элементу создается пилообразный скачок напряжения, который при за-
щелкивании приводит к SET. И опять же логический элемент не поврежден, поскольку но-
вая операция в конечном счете будет выполнена правильно. Следует отметить, что понятие
устранимой ошибки не уменьшает серьезности вызванных радиацией ошибок.
В противоположность этому кратковременный и стохастический характер устранимых
ошибок приводит к чрезвычайной сложности их идентификации и исправления. Посто-
янная неисправность в ячейке памяти означает, что эту ячейку можно отметить как не-
используемую, тогда как вероятность появления SEU делает всю матрицу ячеек памяти
потенциально неисправной. Следует отметить, что с уменьшением размеров транзистора
появляется вероятность того, что одна падающая частица будет воздействовать не на один,
а на несколько транзисторов, создавая множественные сбои ячеек ( MCU — Multiple Cell
Upset) в массивах памяти. Если поврежденные биты принадлежат одному слову памяти,
MCU называют многобитовыми сбоями ( MBU — Multiple Bit Upset). MBU особенно кри-
тичны, поскольку они разрушают эффективность кодирования с исправлением ошибок
(коды коррекции ошибок) ( ECC — Error Correcting Codes). На рис. 1.1 приведены примеры
единичных, многократных и случайных сбоев переключения в интегральных схемах.
Ионизирующее излучение может также вызывать постоянные отказы, такие как оди-
ночное событие радиационного защелкивания ( SEL — Single Event Latchup), одиночный
пробой подзатворного диэлектрика мощного МОП-транзистора ( SEGR — Single Event
Gate Rupture) или единичный пробой сток/истоковых областей МОП-транзистора ( SEB —
Single Event Burnout). И наконец, накопление воздействий частиц приводит к cуммарной дозе ионизирующего излучения ( TID — Total Ionizing Dose), которая проявляется в ухуд-
шении рабочих характеристик транзисторов, поскольку изменяет пороговое напряжение
и ток утечки.
Радиационное окружение состоит из различных частиц, генерируемых солнечной
и звездной активностью [2]. Космическое пространство наполнено галактическими кос-
мическими лучами, которые являются потоком тяжелых ионов, создаваемых взрывами
сверхновых звезд или столкновениями небесных тел. Высвобожденные в результате атомы,
блуждающие во Вселенной, теряют протоны или электроны, тем самым приобретая заряд.
В результате взаимодействия с магнитными полями планет и звезд эти ионы приобретают
ускорение, достигая энергий порядка гигаэлектрон-вольт (ГэВ). Солнце создает потоки
протонов и электронов, которые достигают Земли с низкими энергиями, поскольку у них
не было достаточного времени для ускорения.
Эти частицы можно разделить на два основных типа: 1) частицы с высокой энергией,
такие как нейтроны, электроны, протоны и тяжелые ионы, и 2) электромагнитное излуче-
ние (фотоны), к которому относятся рентгеновское излучение, гамма-лучи и ультрафиоле-
товое (УФ) излучение. Основными источниками частиц с высокой энергией, вносящими
свой вклад в радиационные эффекты, являются протоны и электроны, захваченные пояса-
ми Ван Аллена, тяжелые ионы, захваченные в ионосфере, галактические космические лучи
и солнечные вспышки. Заряженные частицы взаимодействуют с атомами кремния, вызы-
вая возбуждение электронов и ионизацию атомов.
На уровне Земли наиболее часто вызывают сбои нейтроны. Нейтроны появляются
в результате взаимодействий в верхних слоях атмосферы космических ионов с молекула-
ми кислорода и азота. Следует отметить, что если солнечный ветер оказывается захвачен-
ным в поясах Ван Аллена из-за низкой энергии образующих его частиц, то галактические
космические лучи обладают достаточно высокой энергией, чтобы пройти через эти пояса
и проникнуть в верхние слои земной атмосферы. Поток нейтронов сильно зависит от таких
ключевых параметров, как высота, широта и долгота. В этом потоке есть нейтроны с вы-
сокой энергией, которые взаимодействуют с материалом, создавая свободные электронно-
дырочные пары, и нейтроны с низкой энергией. Эти нейтроны взаимодействуют с содержа-
щимся в полупроводниковом материале бором, создавая другие частицы. Альфа-частицы
являются вторичными частицами, которые возникают в результате взаимодействия с ра-
диоактивными примесями, содержащимися в самом устройстве или в материале корпуса,
и создают наибольшие проблемы. Выбор используемых материалов состоит в сведении
к минимуму эмиссии альфа-частиц. Однако это не может устранить проблему полностью.
Поскольку высокоэнергетическая частица, проходя сквозь представляющий интерес
материал, например через отрицательно смещенный p-n-переход, вдоль всего пути следо-
вания, теряет при этом свою энергию, что подробно описывается в [3]. Эта энергия рассчи-
тывается как линейная передача энергии ( LET — Linear Energy Transfer) и определяется как потеря энергии частицы вдоль пройденного пути, нормированная на плотность материала.
Она обычно выражается в МэВ ⋅ см2/мг. Общее число зарядов пропорционально LET до-
летающих частиц. В зависимости от способа изготовления и электрических характеристик
каждого чувствительного элемента, таких как сопротивление и емкость, создаются крат-
ковременные скачки напряжения различной амплитуды и длительности.
1.3. Устранимые ошибки в ПЛИС
Программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ) являются реконфигу-
рируемыми интегральными схемами на основе регулярных структур с высокой плотно-
стью логических элементов, которые настраиваются конечным пользователем под раз-
личные проектные решения. Архитектура ПЛИС основана на матрице логических блоков
мутаторов используются несколько различных технологий программирования. В настоя-
щее время используются технологии программирования коммутаторов трех типов: стати-
ческое ОЗУ (оперативное запоминающее устройство), в котором роль программируемого
коммутатора выполняет проходной транзистор или мультиплексор, управляемый состоя-
нием бита статического ОЗУ (ПЛИС со статическим ОЗУ ( SRAM — Static Random Access
Memory)); проводящий мостик (antifuse) — электрически программируемый коммутатор
образует низкоомный канал между двумя металлическими слоями (ПЛИС на основе про-
водящей перемычки); стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство
(СППЗУ, EPROM — Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое
перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ, EEPROM — Electrically Erasable Programmable Read-
Only Memory) или флэш-ячейка (FLASH), когда коммутатор представляет собой транзистор
с плавающим затвором, который можно отключить, подав заряд на плавающий затвор.
Настройки на основе статического ОЗУ являются энергозависимыми. Это означает,
что ПЛИС на основе статического ОЗУ можно перепрограммировать на месте их работы
столько раз, сколько это необходимо, и что они теряют содержащуюся в них информацию
при отключении запоминающего устройства от электропитания. Решения с проводящими
перемычками являются энергонезависимыми, поэтому сохраняют конфигурацию даже при
отключенном электропитании и могут программироваться только один раз. Каждая ПЛИС
имеет определенную архитектуру. Компании, разрабатывающие программируемую логику,
такие как Xilinx, MicroSemi, Aerofl ex (имеющая лицензию на ПЛИС компании Quicklogic),
Atmel и Honeywell (имеющая лицензию на ПЛИС компании Atmel), предлагают стойкие
к воздействию радиации семейства ПЛИС. Каждая компания применяет разные методы
подавления сбоев с учетом характеристик архитектуры.
1.3.1. Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
со статическим ОЗУ
ПЛИС со статическим ОЗУ состоят из матрицы конфигурируемых логических блоков
(КЛБ, CLB — Confi gurable Logic Blocks), сложной структуры трассировочных ресурсов,
матрицы встроенных элементов памяти (блоков ОЗУ, RAM — Random Access Memory), ма-
трицы блоков цифровой обработки сигналов (ЦОС-блоки, DSP — Digital Signal Processing)
и набора управляющей и контролирующей логики. Блоки КЛБ состоят из таблиц преоб-
разований ( LUT — Look-up Table), которые обеспечивают выполнение комбинационной
логики, и D-триггеров, тактируемых фронтом синхросигнала ( DFF — Flip-Flops), отве-
чающих за последовательностную логику. Структура трассировочных ресурсов может быть
очень сложной и состоять из миллионов предустановленных соединений, которые могут
настраиваться с помощью мультиплексоров и коммутаторов для получения требуемой
маршрутизации.
Конфигурация всех КЛБ, маршрутизации, блоков ОЗУ, ЦОС-блоков и модулей ввода-
вывода задается с помощью установки битов конфигурационной памяти, данный набор би-
тов носит название битового потока или прошивки. В зависимости от размера устройства
ПЛИС битовый поток может содержать миллионы бит. Ячейки памяти, которые хранят би-
товый поток внутри ПЛИС, образуют ячейки памяти статического ОЗУ, поэтому их можно
перепрограммировать и они энергозависимы. Возникновение SEE в конфигурационной
памяти ПЛИС на основе статического ОЗУ может спровоцировать инвертирование битов.
Такое инвертирование битов может изменить маршрутизацию, конфигурацию LUT или
триггера в КЛБ и привести к катастрофическим последствиям в проекте, поскольку SEE
может изменить его функциональность.
SEE в битах конфигурационной памяти ПЛИС на основе статического ОЗУ при-
водит к постоянному эффекту, и его можно устранить только перепрограммированием
ПЛИС [4]. В комбинационной логике последствия SEE связаны с постоянным сбоем
(ноль или единица) в одной или нескольких ячейках конфигурации LUT. На рис. 1.2 мож-
но видеть примеры возникновения SEU в конфигурационных ячейках LUT и в ячейке,
контролирующей соединения маршрутизации. SEE в архитектуре маршрутизации может
подключать или отключать межсоединение в матрице. Это также относится к постоян-
ному эффекту. Результатом такого воздействия может быть изменение электрической
схемы, что приводит к изменению логики работы схемы, или появление короткого за-
мыкания в комбинационной логике, интерпретируемой ПЛИС. Может пройти большое
количество тактов синхросигнала, прежде чем постоянная ошибка такого рода будет вы-
явлена и запустятся необходимые восстановительные процедуры по загрузке неповреж-
денного битового потока. За это время ошибка может распространяться в оставшуюся
часть проекта.
Инвертирование битов также может происходить в триггерах КЛБ, используемых для
реализации последовательностной логики пользователя. В этом случае инвертирование
бита имеет кратковременный эффект и последующая загрузка триггера устранит ее.
1.3.2. Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
на основе флэш-памяти
ПЛИС на основе флэш-памяти имеют перестраиваемую конфигурацию матрицы, со-
стоящую из логических ячеек ПЛИС ( VersaTiles) и трассировочных ресурсов, которые
программируются включением или отключением коммутаторов (конфигурационных ключей), построенных на базе транзисторов с плавающим затвором ( FG — Floating Gate)
(n-канальный МОП-транзистор с многоуровневым затвором) [5]. Цепь такого коммута-
тора состоит из двух n-канальных МОП-транзисторов: 1) считывающего транзистора для
программирования плавающего затвора и считывания тока во время измерения порого-
вого напряжения и 2) переключающего транзистора для включения и отключения линии
передачи данных в ПЛИС (рис. 1.3). Эти два транзистора совместно используют одни и те
же управляющий и плавающий затворы. Пороговое напряжение определяется накоп-
ленным зарядом в плавающем затворе. Рис. 1.3 иллюстрирует логические ячейки ПЛИС
(VersaTiles), используемые для построения типовых логических элементов. VersaTiles под-
ключаются по четырехуровневой иерархии трассировочных ресурсов: сверхбыстрые ло-
кальные ресурсы, эффективные ресурсы маршрутизации для длинных линий, высокоско-
ростные ресурсы маршрутизации для очень длинных линий, высокопроизводительные
сети VersaNet.
Каждая ячейка VersaTile может реализовать любую трехвходовую логическую функ-
цию, что эквивалентно трехвходовой таблице преобразования (3-LUT). Но важно за-
метить, что электрическая реализация VersaTile полностью отличается от электрической
реализации таблицы преобразования (LUT — Lookup Table). Поэтому VersaTiles при различных воздействия могут иметь отличное электрическое поведение по сравнению
с трехвходовыми LUT. VersaTiles также могут реализовать триггер-защелку с очисткой
и сбросом или D-триггер с очисткой или сбросом или включить D-триггер с очисткой
и сбросом посредством транзисторной логики и линий обратной связи внутри логической
ячейки VersaTile. Для каждой конфигурации ячейки VersaTile число переключателей пла-
вающего затвора и транзисторов в критическом пути меняется. Случайные сбои переклю-
чения ( SET — Single Event Transient) могут воздействовать на область стока транзистора
в отключенном состоянии, как это представлено на рис. 1.3, вызывая кратковременный
импульс в конфигурационных коммутаторах, или воздействовать на чувствительные об-
ласти транзисторов в ячейках VersaTile, создавая импульсные помехи или инвертирование
битов в зависимости от конфигурации данной ячейки (рис. 1.4). В главе 11 подробно рас-
сматривается оценка ошибок, вызванных радиацией, в ПЛИС, созданных по технологии
65 нм на основе флэш-памяти. В главе 14 приводится обзор влияния воздействия нейтро-
нов на ПЛИС по флэш-технологии, предназначенной для аналого-цифровой обработки
сигналов.
1.3.3. Сбои, вызванные одиночным воздействием на ПЛИС
с токопроводящими перемычками
ПЛИС с токопроводящими перемычками основаны на постоянной матрице, состоящей
из комбинационных C-ячеек и последовательностных R-ячеек, окруженных регулярны-
ми трассировочными каналами. Все варианты трассировки и конфигурации C- и R-ячеек
осуществляются расплавлением необходимых токопроводящих перемычек (программи-
руемых переключателей). Результаты наземных радиационных испытаний показали, что
программируемые переключатели на основе технологий ONO (Oxide – Nitride – Oxide, ок-
сид – нитрид – оксид) и MIM (Metal – Insulator – Metal, металл – изолятор – металл) явля-
ются стойкими к воздействию ионизации и накопленной дозы облучения [6]. Поэтому на-
страиваемая пользователем трассировка не чувствительна к SEU, только комбинационная
логика и триггеры, используемые для описания пользовательской последовательностной
логики, оказываются чувствительными к SEE.
Другим хорошо известным вариантом ПЛИС на основе расплавляемых токопрово-
дящих перемычек являются ППВМ компаний Aerofl ex и QuickLogic. Их архитектура со-
ставлена из матрицы конфигурируемых логических ячеек, используемых для реализации
комбинационной логики, и триггеров, которые окружены трассировочной структурой.
Программируемые переключатели, получившие название ViaLink, применяются для на-
стройки всех вариантов пользовательских конфигураций.
Чтобы подытожить воздействия SEU и SET на ПЛИС, в табл. 1.1 показаны воспри-
имчивые части архитектуры и разделение сбоев на кратковременные и продолжительные,
когда для устранения сбоя требуется реконфигурация.
1.4. Устранимые ошибки в графических процессорах
Модули графических процессоров представляют собой сложные системы параллельных
вычислений, которые используют большие структуры памяти, такие как кэш второго
и первого уровней (L2 и L1) или регистровые файлы, высокоэффективные арифметическо-
логические устройства (АЛУ, ALU — Arithmetic Logic Units), а также планировщики и дис-
петчеры задач.
Радиация может вызывать в структурах памяти графического процессора как оди-
ночные обратимые сбои, так и множественные сбои. Если радиация повреждает регистр,
то процесс, использующий этот регистр для вычислений, вероятнее всего, выдаст невер-
ный результат. Специфика параллельных вычислений приводит к тому, что ошибки в кэш-
памяти графического процессора более существенны, чем в традиционных ЦПУ. Фак-
тически кэш-память первого уровня (L1) используется совместно всеми параллельными
процессами вычислений в потоковом мультипроцессоре ( SM — Steaming Multiprocessor),
тогда как кэш L2 распределяется между всеми SM. Поэтому ошибка в кэше L1 может,
в наиболее неблагоприятном случае, распространиться на все выполняемые текущим SM
параллельные процессы. Аналогичным образом ошибка в кэше L2 может повлиять на аб-
солютно все процессы, выполняемые графическим процессором [7].
Соударение падающей частицы с вентилем может привести к случайному сбою пере-
ключения. Что касается SEU, то его серьезность и общий суммарный эффект SET зависят
от области соударения. Если SET воздействует на вентиль внутри отдельного ядра, то поток
операций, выполняемых этим ядром, вероятно, даст на выходе единичный сбой. Однако
если SET приводит к сбою планировщика или диспетчера параллельных вычислений, это
может повлиять на вычисления нескольких процессов, а также привести к аварийному за-
вершению приложения или зависанию системы [8].
Чтобы иметь всестороннюю оценку чувствительности графического процессора, не-
достаточно измерить чувствительность к воздействию радиации отдельных ресурсов, та-
ких как модули памяти или логические вентили. Необходимо также проанализировать,
как эти ресурсы используются в вычислениях. Для этого можно провести радиационные
эксперименты на репрезентативном наборе приложений, чтобы иметь достаточно данных
для обобщения на остальные алгоритмы. Альтернативно этому можно вычислить коэффи-
циент уязвимости архитектуры ( AVF — Architectural Vulnerability Factor), т. e. вероятность
выдачи поврежденным ресурсом ошибки в выходных данных, как в [9]. В главе 20 подроб-
но рассматриваются возможные радиационные воздействия на графические процессоры
и показывается возможный путь оценки поведения графического процессора под воздей-
ствием радиации.
1.5. Отказоустойчивые методы
Отказоустойчивость определяется как набор методов по обеспечению рабочего режима,
при котором выполняется системная функция, несмотря на наличие (ограниченного набо-
ра) сбоев. Проблема отказоустойчивости полупроводниковых устройств обрела важность
после того, как несколько лет назад начали возникать сбои космической аппаратуры. С тех
пор интерес к изучению отказоустойчивых методов для поддержания работоспособности
интегральных схем (ИС, IC — Integrated Circuits) в таких неблагоприятных условиях окру-
жающей среды стал расти, ведомый всеми возможными областями применения стойких
к воздействию радиации ИС, как, например, полеты в космосе, спутниковые системы,
высокоэнергетические эксперименты в физике и т. п. Системы космических кораблей включают множество разнообразных аналоговых и цифровых компонентов, которые по-
тенциально чувствительны к воздействию радиации, и поэтому для обеспечения их надеж-
ности необходимо использовать отказоустойчивые методы.
1.5.1. Отказоустойчивые методы для ПЛИС
Различные отказоустойчивые методы применимы для ПЛИС в соответствии с типом тех-
нологии конфигурирования, архитектурой и заданной средой эксплуатации. Эти методы
могут быть реализованы пользователем с применением высокоуровневого языка описания
аппаратных средств ( HDL — Hardware Description Language), прежде чем проект будет син-
тезирован в ПЛИС. В этой книге авторы преимущественно рассматривают методы, которые
могут применяться самим пользователем при проектировании с помощью языка HDL.
Главные методы основаны на одном из двух принципов: пространственной или вре-
менной избыточности (резервировании) [10]. Пространственная избыточность сводится
к n-кратному дублированию конкретного модуля n идентичными модулями, все выходные
сигналы которых направляются в мажоритарную схему голосования. Обычно n является
нечетным числом. Схема голосования определяет правильный выходной сигнал по боль-
шинству равных выходных сигналов. Наиболее распространенным является вариант
n-модульного резервирования ( nMR — n-modular redundancy) с n, равным 3, получивший
название тройного модульного резервирования ( TMR — Triple Modular Redundancy). В этом
случае схема голосования позво