eng
Просмотры: 686
05.08.2019
В традиционных квантовых чипах носители информации — электроны. Но более быстрыми в плане передачи сигнала могут быть фотоны, которые способны перемещаться со скоростью света.
Однако реализация передачи информации с помощью квантов света оказывается сложной при контроле точности передачи сигнала и количества фотонов, вылетающих в единицу времени.
Ученые из Мюнхенского технического университета совместно с коллегами из других стран попытались решить эту проблему. Они создали источники света толщиной в несколько атомов и смогли разместить их на поверхности с точностью в несколько нанометров. Критическим здесь стало именно контролируемое размещение источников света. Можно создавать квантовые источники света в обычных трехмерных материалах, таких как алмаз или кремний, но они не могут быть точно помещены в эти структуры.
В качестве исходного материала физики использовали слой полупроводникового дисульфида молибдена (MoS2) толщиной всего в три атома. Они облучали его пучком ионов гелия, который фокусировался на площади поверхности менее одного нанометра. Это позволило точечно выбить из материала один-два атома серы или молибдена и создать таким образом дефект. Такой дефект представляет собой ловушку для экситонов — квазичастиц, объединяющих электрон и дырку, — которые могут испускать фотоны при подаче электрического тока.
Команда ученых разработала модель, которая также теоретически описывает энергетические состояния, наблюдаемые в этих дефектах. В будущем исследователи хотят создать более сложные картины источника света — например, в боковых двумерных структурах решетки, — чтобы таким образом исследовать мультиэкситонные явления или экзотические свойства материалов.
По словам ученых, созданные ими источники света возможно применить не только в теоретических исследованиях, но и использовать в квантовых вычислениях. Поскольку источники света всегда имеют один и тот же основной дефект в материале, они теоретически неразличимы. Это позволяет делать их квантово запутанными. Как заявляют авторы работы, благодаря высокой чувствительности таких источников света они могут стать основой квантовых датчиков для смартфонов и чрезвычайно безопасных технологий шифрования для передачи данных.
Дефекты в тонких слоях сульфида молибдена, вызванные ионной бомбардировкой гелием, могут служить источниками нано-света для квантовой технологии © Christoph Hohmann / MCQST
Ученые из Мюнхенского технического университета совместно с коллегами из других стран попытались решить эту проблему. Они создали источники света толщиной в несколько атомов и смогли разместить их на поверхности с точностью в несколько нанометров. Критическим здесь стало именно контролируемое размещение источников света. Можно создавать квантовые источники света в обычных трехмерных материалах, таких как алмаз или кремний, но они не могут быть точно помещены в эти структуры.
В качестве исходного материала физики использовали слой полупроводникового дисульфида молибдена (MoS2) толщиной всего в три атома. Они облучали его пучком ионов гелия, который фокусировался на площади поверхности менее одного нанометра. Это позволило точечно выбить из материала один-два атома серы или молибдена и создать таким образом дефект. Такой дефект представляет собой ловушку для экситонов — квазичастиц, объединяющих электрон и дырку, — которые могут испускать фотоны при подаче электрического тока.
Команда ученых разработала модель, которая также теоретически описывает энергетические состояния, наблюдаемые в этих дефектах. В будущем исследователи хотят создать более сложные картины источника света — например, в боковых двумерных структурах решетки, — чтобы таким образом исследовать мультиэкситонные явления или экзотические свойства материалов.
По словам ученых, созданные ими источники света возможно применить не только в теоретических исследованиях, но и использовать в квантовых вычислениях. Поскольку источники света всегда имеют один и тот же основной дефект в материале, они теоретически неразличимы. Это позволяет делать их квантово запутанными. Как заявляют авторы работы, благодаря высокой чувствительности таких источников света они могут стать основой квантовых датчиков для смартфонов и чрезвычайно безопасных технологий шифрования для передачи данных.
Комментарии читателей
